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    公开号:WO1992004811A1
    申请号:PCT/JP1991/001176
    申请日:1991-09-03
    公开日:1992-03-19
    发明作者:Hiroaki Hase；Kazutsune Kikuta；Atsushi Takahashi；Shiro Konotsune
    申请人:Chisso Corporation；
    IPC主号:B32B15-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 フ レキシブルプリ ン 卜基板及びその製造法 技 術 分 野
    [0002] 本発明は、 無接着剤のポ リ イ ミ ド系フ レキシブルプリ ン ト配線基板とその製造法に関する。 さらに、 そのプリ ン ト配線基板を用いた回路基板の製造方法および該回路 基板に電子部品を実装した電子装置に関する。 背 景 技 術
    [0003] フ レキシブルプリ ン ト配線基板 （以下、 フ レキシブル プリ ン ト基扳という） は、 該基板の導体の不要部分をェ ツチングすることにより回路基板となる。 この回路基板 はその上に半導体などの種々の電子部品を実装して後、 電子機器に組み込まれる。
    [0004] 実装とは部品を組立て取りつけるためのハンダ付け、 ネジ締め、 配線材料の使用などのことであり、 たとえば. 部品挿入形実装、 表面実装、 フ レキシブル実装、 チップ ボンディ ング実装、 C C B実装 （Cont ro l ed Co l l apee Bond i ng) . 有機マルチチップ実装などの実装方法がある < 近年、 この種の回路基板は、 部品の実装密度が年々高 められ、 また、 その実装方法も自動化される傾向にある, これら実装工程では自動ハンダづけなどで高温下で処理 されるため基板に耐熱性が要求される。
    [0005] また、 回路形成の工程では、 エッチング、 洗浄など化 学的、 熱的な変化が与えられるが、 これらの工程で基板 がカールしたり、 金属導体とフィ ルムがはがれたりせず、 元の平面状態を保つことが要求されている。
    [0006] 従来のポリイ ミ ド系フレキシブルプリ ン ト基板は、 ポ リイ ミ ドフ ィ ルムと金属導体箔とを接着剤を介して張り 合わせたものが主流である。 しかしこの基板は接着剤を 使用しているために耐熱性、 電気特性の経時変化などの 点で問題があり、 高密度回路自動実装などの方面に適用 することが難しい。
    [0007] これらの問題を解決する方法として、 金属導体箔上に この金属導体箔と同程度の線熱膨脹係数を有するポリィ ミ ド前駆体の溶液を直接塗布し、 加熱硬化処理をしてポ リィ ミ ド膜を形成する無接着剤ポリイ ミ ド系フ レキシブ ルブリ ン ト基板の製造方法 （特開昭 6 1 - 1 1 1 359 号公報、 特開昭 63 - 214185号公報、 特開昭 58 - 1 55790号公報、 特開昭 63 - 245988号公 報及び特開昭 61 - 1 1 1 182号公報） が提案されて いる。
    [0008] 無接着剤ポリ イ ミ ド系フ レキシブルプリ ン ト基板は、 接着剤による特性低下を解決するだけでなく、 製造工程 の大幅な簡素化、 コス トダウンを可能とする。 しかし、 この無接着剤ポリ イ ミ ド系フ レキシブルプリ ン ト基板を 製造するためには基板のカール性を考慮し、 導体の線熱 膨脹係数と同程度のポリィ ミ ドを選択する必要があつた。
    [0009] しかしながら、 それでも得られたフレキシブルプリ ン ト基板は、 硬化直後の段階で導体箔側を外側にしてカー ルする し、 エッチングにより導体の不要部分を除去する ことにより回路形成を行うと、 ポリイ ミ ドフィ ルムが導 体箔側を内側にしてカールしてしまい、 以後の作業に支 障をきたしている。
    [0010] このうち硬化直後の段階での力一ル抑制方法と して特 開昭 5 9— 2 2 3 8 8号公報、 特開昭 5 9— 2 2 3 8 9 号公報には、 カールに逆の曲げ塑性変形を金属に与える ことにより、 カールを解消しょうとする単純なカール除 去法が提案されている。 この方法では金属導体に対して 応力を強制的に加えねばならず金属導体に疲労が生じる。
    [0011] また、 特開昭 6 3 - 7 4 6 3 5号公報のようにポリ ィ ミ ド形成のための乾燥硬化工程において湾曲させながら カールを抑制する方法も提案されている。 この方法では、 乾燥、 硬化工程において、 湾曲させながら行えるような 設備としなければならない。
    [0012] エッチングにより導体の不要部分を除去した後の力一 ル抑制方法については、 特開昭 6 3— 1 8 1 3 9 5号公 報ではエツチングにより導体の不要部分を除去した後に ポリイ ミ ド表面を化学的にエツチングする方法が提案さ れている。 しかし、 この方法では、 製造工程以外の加工 工程を加えねばならない。 また特開昭 6 4— 8 2 9 2 8 号公報、 特開平 1— 2 4 5 5 8 6には熱膨脹係数の異な るポリイ ミ ドを複層コー トすることによりポリイ ミ ドフ ィ ルムのカールを低減する試みが提案されている。 し力、 しながら、 単に熱膨脹係数の異なる複層化ではカールを 低減することは困難である。
    [0013] 本発明の目的は、 上記の問題を解決することであり、 無接着剤のポリイ ミ ド系フ レキシブルプリ ン ト基板にお いて、 該基板の硬化直後のカール、 および該基板をエツ チングにより導体の不要部分を除去した後に残るポリィ ミ ド系フィ ルムのカールを、 経済的、 実用的に抑制する ことのできるフ レキシブルプリ ン 卜基板およびその製造 法を提供することである。
    [0014] さらに、 他の目的は、 このフレキシブルプリ ン ト配線 基板から回路基板を製造する方法およびその回路基板に 電子部品を実装した電子機器装置を提供することである。
    [0015] 本発明者らは、 金属導体箔上にポリイ ミ ド前駆体溶液 を直接塗布し、 加熱硬化処理をしてポリィ ミ ド膜を形成 する方法により得られるフレキシブルプリ ン ト基板の力 ール発生について検討した結果つぎのようなことを見出 した。
    [0016] カール発生の第一は、 前駆体溶液塗布後の乾燥とその 後の加熱硬化の時に発生し、 また、 第二はエッチングに より金属導体箔の不要部分を除く と金属導体箔側を内側 にして発生する。 第一のカールはポリイ ミ ド膜の体積収 縮によってできる応力のために発生する。 しかしこの応 力は硬化の際に導体が曲がらないように固定することと、 ポリイ ミ ドのガラス転移点以上の熱履歴を与えることに より大部分は緩和される。 一方、 第二のカールは、 ポリ イ ミ ド膜と金属導体箔との界面に凹凸があるためにポリ ィ ミ ドの分子鎖が動きにく く 、 このため応力緩和がしに く く、 結果と して、 その界面に残留応力層ができるため に発生する。
    [0017] しかも、 ポリイ ミ ド膜内に生じる内部応力はポリイ ミ ド膜と接する金属導体箔表面の粗度により左右され、 そ の粗度が大きい程その応力は增加し、 ポリイ ミ ド膜の厚 さが增すとその膜の持つ剛性によりエツチング後の応力 解放による力一ルが抑制される。
    [0018] 以上のようなことをもとに本発明を完成するに至った。 発 明 の 開 示
    [0019] 本発明のフ レキシブルプリ ン ト基板は、 つぎの （ 1 ) 〜 （4 ) 項である。
    [0020] ( 1 ) ポリイ ミ ド前駆体を金属導体箔上に直接塗布 した後、 乾燥加熱硬化してポリィ ミ ド膜を形成すること により得られるフレキシブルプリ ン ト基板において、 前 記ポリイ ミ ド膜が 2層以上のポリイ ミ ドの積層からなり、 金属導体箔に接している第 1層のポリィ ミ ドの線熱膨脹 一 ら 一 係数より も第 2層以降の少なく とも 1つのポリイ ミ ド層 の線熱膨脹係数が大きく 、 かつ、
    [0021] 式 3. 0く Qn 1 x t nく 5 0 および ' 式 t n- 1 〉 t n
    [0022] 〔ただし、 t n は積層ポリイ ミ ドの最外層 （第 η層） の厚み （ m) 、 t n_{ は積層ポリ イ ミ ドの第 1から第 n— 1層までで構成されるフィルムの厚み （^ m) 、
    [0023] Qn_, は積層ポリ イ ミ ドの第 1から第 n— 1層まで構成 されるフィルムが発生するカールの曲率半径の 2倍の値
    [0024] ( c m) を示す〕 をみたすフ レキシブルプリ ン ト基板。
    [0025] ( 2) 第 1層のポリイ ミ ドの線熱膨脹係数が 1. 0 X 1 0一5〜 2. 3 1 0_5ノ でぁり、 積層された全体 のポリイ ミ ド膜の線熱膨脹係数が 1. 5 X 1 0_5~
    [0026] 3. 0 X 1 0— 5/°Cである （ 1 ) 項に記載のフレキシブ ルブリ ン ト基板。
    [0027] (3 ) 第 1層のポリイ ミ ドの弾性率が 5 0 0〜
    [0028] 80 0 kg/mm" である （ 1 ) 項記載のフレキシブルプリ ン ト基板。
    [0029] (4 ) 式
    [0030] Rz
    [0031] 0. 01く <0. 10 (a)
    [0032] t n-1 i x t n
    [0033] 〔ただし、 t は積層ポリイ ミ ドの第 1から第 n— 1層までで構成されるフィルムの厚み m) 、 t nは 積層ポリイ ミ ドの最外層 （第 n層） の厚み （^ m) 、 R zは金属導体箔の平均表面粗度 （ m) を示す。 〕 の条 件をみたす （ 1 ) 項記載のフレキシブルプリ ン ト基板。 本発明のフレキシブルプリ ン ト基板の製造法は、 つぎ の （ 5 ) 〜 （ 1 2 ) 項である。
    [0034] ( 5 ) 金厲箔上に 2以上のポリイ ミ ド前駆体の溶液 を順次、 塗布 ·乾燥する 2つ以上の工程と、 このように して得られた金属導体箔上に 2以上のポリィ ミ ド前駆体 の層の形成された複合板を加熱硬化させる工程とからな り、 金属導体箔の片面に 2層以上のポリ イ ミ ドが被覆さ れてなるフレキシブルプリ ン ト基板の製造法。
    [0035] ( 6 ) 金属導体箔に接している第 1層のポリ ィ ミ ド の線熱膨脹係数より も第 2層以降の少なく とも 1つのポ リィ ミ ド層の線熱膨脹係数が大き く なるようにそれらポ リィ ミ ド前駆体を選定し、 かつ、
    [0036] 式 3. 0 < Qn_1 x t fl < 5 0 および 式 t n-1 > t Π
    [0037] 〔ただし、 t η は積層ポリィ ミ ドの最外層 （第 η層） の厚み （ m) 、 t n-1 は積層ポリィ ミ ドの第 1から第 n — 1層までで構成されるフィルムの厚み （ m) 、
    [0038] Q n_1 は積層ポリイ ミ ドの第 1から第 n — 1層まで構成 されるフィルムが発生するカールの曲率半径の 2倍の値
    [0039] ( c m) を示す〕 をみたす （ 5 ) 項に記載の製造法。
    [0040] ( 7 ) 第 1層のポリイ ミ ドの線熱膨脹係数が 1. 0 X I 0 "〜2. 3 X 1 ◦ _5ノ。 Cであるようにこのポリ イ ミ ド前駆体を選定する （6 ) 項に記載の製造法。
    [0041] (8) 第 1層のポリイ ミ ドの線熱膨脹係数より も第 2層のポリィ ミ ドの線熱膨脹係数が大きく なるようにこ れらポリイ ミ ド前駆体を選定する （7 ) 項に記載の製造 法 O
    [0042] ( 9 ) 第 1層のポリイ ミ ドの弾性率を 5 0 0〜
    [0043] 80 0 kgXmm2 であるようにポリイ ミ ドの前駆体を選定 する （6 ) 項記載の製造法。
    [0044] ( 1 0 ) 前記 （4 ) 項の式 （ a ) の条件をみたす (6 ) 項に記載の製造法。
    [0045] ( 1 1 ) ポリイ ミ ド前駆体の層が 3以上であり、 第 3層以降の前駆体を、 それらから得られるポリイ ミ ドの 線熱膨脹係数が金属箔に近い隣接するポリイ ミ ド層の線 熱膨脹係数以上である （8) 項に記載の製造法。
    [0046] ( 1 2 ) 前記ポリイ ミ ド前駆体の乾燥後に含まれ 残存溶媒の量がその後に加熱硬化させて得られるポリィ ミ ドに対して 5〜 30 0重量％であり、 かつ前記ポリィ ミ ド前駆体のィ ミ ド化率が 0〜 9 0 %である （ 5 ) 〜
    [0047] ( 1 1 ) 項のいずれかに記載の製造法。
    [0048] 本発明の回路基板の製造方法は、 つぎの （ 1 3 ) 項で める o
    [0049] ( 1 3 ) ( 1 ) 〜 （4 ) 項のいずれかに記載のフレ キシブルプリ ン ト基板をエツチングにより金属導体の不 要部分を除き、 回路を形成することを含む回路基板の製 造方法。
    [0050] 本発明の電子装置は、 つぎの （ 1 4 ) 項である。
    [0051] ( 14 ) ( 1 3 ) 項に記載の回路基板に電子部品を 実装してなる電子装置。
    [0052] 本発明のフレキシブルプリ ン 卜基板におけるポリイ ミ ドの積層は、 2〜 2 0層が望ま しく 、 実用的には 2〜 5 層が好ま しい。
    [0053] ポリイ ミ ド層の厚みは、 単層で 0. 1〜 1 0 0 /« 111で あり、 好ま しく は 0. 5〜 5 0 μ mである。 上記範囲未 満では塗布されたポリ ィ ミ ドの塗布精度が得られにく く 、 カール抑制に対して十分な効果を得るのが難しい。 上記 の範囲を越えるとポリイ ミ ド前駆体の乾燥一硬化工程に おいて発泡が生じやすく なるので好ま しく ない。
    [0054] 第 n層 （最外層） のポリイ ミ ド層の厚み （ t n ) は、 金属導体箔に接する第 1層から第 n— 1層までのポリイ ミ ドの厚み （ t ) より小さく 、 Qn_i は
    [0055] 3 · 0 < Qn-l x t n < 5 0
    [0056] (ただし、 は第 1層から第 n— 1層まで構成さ れるポリイ ミ ドのフィ ルムが発生するカールの曲率半径 の 2倍の値を示し、 Q n · t n の単位は cm * であ る。 ） の条件をみたすのが好ま しい。
    [0057] Q n-1 X t n が上記範囲を越える場合は、 エツチング による金属導体箔の不要部分の除去後のフィ ルムのカー ルの防止は困難であり、 上記範囲未満の場合は、 第 n層 の乾燥、 硬化の際の体積収縮による第 1層から第 π— 1 層までに発生する応力の除去効果が大きく、 基板にカー ルが発生し、 また、 エッチングによる金属導休箔の不要 部分の除去後にフィ ルム面を内側にしてフィ ルムがカー ルして好ま しく ない。
    [0058] また、 この t n_1 および t n は、 前記式 （ a ) の条件 をみたすのが好ま しい。 R z Z ( t X t n ) 力《 0. 1 0を越える場合は、 エッチング後のフィ ルムの力 —ルの防止は困難であり、 0. 0 1未満の場合は、 第 2 層の乾燥、 硬化の際の体積収縮による第 1層に発生する 応力の除去効果が大きく、 基板にカールが発生し、 また エッチング後フィ ルム面を内側にしてフィ ルムがカール するので好ま しく ない。
    [0059] 本発明の積層された全体のポリィ ミ ドの線熱膨脹係数 は、 金属導体箔の線熱膨脹係数と必ずしも同程度に設計 する必要性はないが、 最終的に好ま しく は 1. 5 X 1 0 一5〜 3. 0 X 1 0一5 / であり、 更に好ま しく は 1. 5 X 1 0一5〜 2. 5 X 1 0 "/でである。
    [0060] 本発明において、 金属導体箔の片面に接して形成され る第 1層のポリ イ ミ ド線熱膨脹係数は、 好ま しく は 1. 0 X 1 0一5〜 2. 3 X 1 0— 5/ :である。 また、 こ の第 1層の上方に形成されるポリイ ミ ド層の線熱膨脹係 数は、 第 1層の値に対して好ま しく は 1. 05倍以上、 更に好ま しく は 1. 1倍以上であり、 一方 5倍以下好ま しく は 3倍以下である。 上記の範囲をはずれるとフ レキ シブルプリ ン ト基板の力一ル抑制が困難となる。
    [0061] 本発明において金属導体箔に接する第 1層のポリィ ミ ド弾性率は、 5 0 0〜 8 0 0 kgZ mnT である。
    [0062] 本発明のフ レキシブルプリ ン ト基板の製造法における 金厲導体箔上に 2以上のポリイ ミ ド前駆体の溶液を順次 塗布し、 乾燥後加熱する 2つ以上の工程とは、 具体的に は、 金属導体箔上に塗布された第 1層目のポリイ ミ ド前 駆体溶液を予備乾燥したのち硬化させる前に、 この第 1 層前駆体のポリィ ミ ド化後の線熱膨脹係数より大きい値 を持つポリィ ミ ド前駆体の溶液を少なく とも 1回塗布し て、 乾燥後、 加熱しポリィ ミ ド化する。
    [0063] 金属導体箔上にポリィ ミ ド前駆体を塗布乾燥し、 更に その上にポリイ ミ ド前駆体溶液を塗布する場合、 前層に 塗布されたポリイ ミ ド前駆体の状態は、 その残存溶媒量 が 5〜 3 0 0重量％であるのがよく、 好ま しく は 5〜 1 0 0重量％である。 上記範囲未満であると、 硬化後に 積層されたポリイ ミ ドフィ ルム間で層間剥離を生じやす い。 上記範囲を越えるとポリイ ミ ド前駆体が、 層間でマ ィグレーシヨ ンを起こ し金属導体を複層で被覆した効果 が十分に得られない。
    [0064] また、 上記の状態でのポリ ィ ミ ド前駆体のィ ミ ド化率 は 0〜 9 0 %であるのがよく、 好ま しく は 0〜 8 0 %で ある。 上記範囲を越えると硬化後に積層されたポリ ィ ミ ドフィ ルム間で層間剥離を生じゃすい。
    [0065] 金属導体箔上に塗布するポリイ ミ ド前駆体溶液は単一 である必要はなく、 2種以上のものと混合、 或いは共重 合したものを用いることもできる。
    [0066] 本発明において、 金属導体箔上に最終的に形成される ポリイ ミ ドは、 下記の一般式 （ I ) で示される構造単位 から本質的に構成される。 下記の一般式 （ I ) の構造単 位は下記一般式 （II) で表されるポリア ミ ド酸単位を脱 水硬化させることにより得ることができる。
    [0067] また、 本発明におけるポリイ ミ ド前駆体は、 式 （II) の構造単位、 又は式 （ I ) と （II) の構造単位から構成 されている。
    [0068]
    [0069] (Π)
    [0070] (こ こに R1 は 4価の有機基を、 R2 は 2価の有機基を 表す。 ） 0 0 0
    [0071] o II o II 1 II
    [0072] -NQ -C-NQ 一、 -0-C-Q1 — C— O -ヽ
    [0073] Q1 Q1
    [0074] -S i - 又は — O— S i— O— o
    [0075] Q1 Q丄 こ 、で、 Q 1 は、 場合によってハロゲン原子 （好ま し く はフッ素原子） 一個もしく はそれ以上で置換された炭 素原子数 1ないし 6、 好ま しく は 1ないし 4のアルキル 基もしく はアルキレン基を表わすか、 あるいはシクロア ルキル基、 ァリール基またはァリーレン基を表わし、
    [0076] Q 2 は、 水素原子、 シクロアルキル基またはァリール 基を表わすか、 あるいは場合によってはハロゲン原子一 個もしく はそれ以上で置換された炭素原子数 1ないし 4 のアルキル基を表わす。
    [0077] R1 が複素環式基を表す場合、 それらの例として特に 挙げられるのは、 酸素、 窒素及び （又は） ィォゥを含む 五員環もしく は六員環の複素環式芳香族基、 又はそれら とベンゼン核との縮合環式基である。
    [0078] R1 が表す炭素環式芳香族基もしく は複素環式基は、 また、 例えばニ トロ基、 炭素原子数 1ないし 4のアルキ ル基、 ト リフルオルメチル基、 ハロゲン原子 （特にフッ 素原子） 、 シリル基又はアルファモイル基などの 1個以 上で置換されたものであってもよい。 R1 は特に 4価の炭素数 2以上の脂肪族基、 環式脂肪 族基、 炭素か環式芳香族又は複素環式基等である。 これ らの基は例えばハロゲン原子 （例えば、 フッ素、；塩素又 は臭素） 、 又は炭素原子数 1〜4のアルキル基などの 1 個以上で置換されたものでもよい。
    [0079] R1 が炭素環式芳香族基である場合、 この基は好まし く は少なく とも 1個の六員環を有する。 R1 は、 特に、 単環式芳香族基、 縮合多環式芳香族基、 又は数個の縮合 環もしく は非縮合環 （これらの環は直接又は橋かけ基を 通して互いに結合する） を有する多環式芳香族基である, 上記の橋かけ基としては、 例えば、 次の基が適当であ る o
    [0080] o =
    [0081] 一 0—、 CHo -CH2 一、 一 CH2 -、 一 CH=CH -、
    [0082] Q1
    [0083] ―レ H―、 一し一、 一 3 i g 一、 S— S—、 一 so—、
    [0084] Q Q
    [0085] 0
    [0086] 一 SO SO„ N- 一 CO—、 一 C一 0—、
    [0087] 0 0 Q2 Q 0
    [0088] II II
    [0089] c-c CON—、 一 N—、 一 P—、 一 0— P— 0—、
    [0090] Q」 Q
    [0091] 0 0 0 t 9 'I I II 9 一 N = N―、 一 N N—、 -NQ L -C-Q1 -C-NQ (式中、 R3 及び R4 は、 それぞれ同一又は異なる低 級アルキレン基又はフエ二レン基を表し、 R5 、 R6 、 R7 及び R8 はそれぞれ同一又は異なる低級アルキル基、 低級アルコシキ基、 フエニル基又はフヱノキシ基を示し、 mは 1 ~ 1 0 0の整数を示す。 )
    [0092] R2 が炭素環式芳香族基であるばあい、 好ま しいそれ らの例としては、 単環式芳香族基、 縮合多環式芳香族基、 又は非縮合二環式芳香族基が挙げられる。 この非縮台二 環式基の場合は、 芳香環が互いに橋かけ基を通して結合 している。 この場合、 可能な橋かけ基は、 の説明の ところで挙げた基と同じものである。
    [0093] R 2 が複素環式基である場合、 それは特に、 0、 N及 び （又は） Sを含む五員環もしく は六員環の複素環式芳 香族基である。
    [0094] R2 が脂肪族基である場合には、 特に、 炭素原子数 2 ないし 1 2のアルキレン基、 又はそれらのアルキレン鎖 中にヘテロ原子、 例えば 0、 S又は N原子が介在したァ ルキレン基がそれらの例と して挙げられる。
    [0095] R2 が環状脂肪族基である場合の例として挙げられる ものは、 シク ロへキシル基又はジシク ロへキシルメ タ ン 基などであり、 一方、 芳香脂肪族基である場合の例と し て特に挙げられるものは、 1 · 3 -、 1 - - も しく は 2 , 4 - ビス - アルキレンベンゼンの基、 4 , 4 ' - ビ ス - アルキレン - ジフエ二ル基、 及び 4 , 4 ' - ビス - R 1 が脂肪族基である場合には、 特に、 炭素原子数 2 〜 1 2の鎖状飽和炭化水素基、 又はそれらの炭化水素鎖 中にヘテロ原子、 例えば、 0、 S又は N原子が介在した 鎖状飽和炭化水素基がそれらの例として挙げられる。
    [0096] R 1 が環状脂肪族基である場合の例と して挙げられる ものはシクロブタンの基、 メチル置換シクロブタンの基、 シク口へキサンの基、 又はジシク口へキサンの基などで あ o
    [0097] R 1 については、 それぞれ Rの R 1 が互いに独立に、 非 置換単環式芳香族基、 非置換縮合多環式芳香族基、 又は 非置換非縮合二環式芳香族基を表すのが好ま しい。 上記 最後の基は、 芳香環が互いに、 一 0—又は一 C O—の橋 かけ基を通して結合してなる基である。
    [0098] R 2 は特に 2価の炭素数 2以上の脂肪族基、 環式脂肪 族基、 芳香脂肪基、 炭素環式芳香族基、 複素環式基、 又 は下記式（I I I ) で示される有機ポリ シロキサン基等であ る。 これらの基はそれぞれ例えばハロゲン原子 （例えば, フ ッ素、 塩素又は臭素） 、 又は炭素原子数 1ないし 4の アルキル基もしく はアルコシキ基などの 1個以上で置換 されたものでもよい。
    [0099] 一 R' ( 4 (m)
    [0100] アルキ レ ン - ジフ エ二ルエーテル である。
    [0101] R 2 については、 それぞれの R 2 が互いに独立に、 場 合によっては炭素原子数 1ないし 4のアルキル基も しく はアルコキシ基またはハロゲン原子の 1個以上を置換基 として有する単環式芳香族基もしく は非縮合二環式芳香 族基、 或いは非置換単環式芳香族基又は炭素原子数 2な いし 1 0の非置換脂肪族基であるのが好ま しい。
    [0102] 上記式（III) において R3 及び R4 が表す低級アルキ レ ン基としては、 メ チ レ ン基、 エチ レ ン基、 ト リ メ チ レ ン基、 テ トラメチレン基、 ペンタメチレン基、 へキサメ チレン基等の炭素数 1〜6のアルキレン基が例示される。
    [0103] R5 、 R。 、 R7 及び R8 が表す低級アルキル基とし ては、 メチル基、 ェチル基、 ペンチル基、 へキシル基等 の炭素数 1〜 6のアルキル基が例示される。 R5 、 RD 、 R7 及び R8 が表す低級アルコキシ基としては、 メ トキ シ、 エ トキシ、 プロボキシ、 イソプロボキシ、 プトキシ、 イ ソプ トキシ、 t e r t - プ トキシ、 ペンチルォキシ、 へキシルォキシ基等の炭素数 1〜 6のアルコキシ基が例 示される。
    [0104] 次に一般式 （Π) で示されるポリア ミ ド酸単位を含む ポリィ ミ ド前駆体は、 下記一般式 （IV) で示される有機 テ トラカルボン酸二無水物と下記一般式 （V) で示され る芳香族、 脂肪族等のジァミ ン、 α、 ω - シアミ ノ シロ キサン等との有機溶媒中で反応して得ることができる。
    [0105] H2 N-R^ -NH2 (V) こ こに R1 及び R2 は上記と同じ意味を表す。
    [0106] 上記 （IV) 式で示されるテ トラカルボン酸二無水物の 代表的なものと して次のようなものがある力 、 これらの 酸二無水物の単独もしく は複数のものを同時に使用する ことができる。
    [0107] テ トラ力ルボン酸二無水物は、 例えば、 ピロメ リ ト酸 二無水物、 ベンゼン - 1， 2 , 3 , 4 , - テ トラカルボ ン酸ニ無水物、 2, 2 ' , 3, 3 ' - ベンゾフヱノ ンテ トルカルボン酸二無水物、 2, 3 , 3 ' ， 4 ' - ベンゾ フエノ ンテ トラカルボン酸二無水物、 3 , 3 ' , 4，
    [0108] 4 ' - ベンゾフエノ ンテ トラカルボン酸二無水物、 2， 2' , 3 , 3, - ビフエニルテ トラカルボン酸二無水物、 3 , 3 ' ， 4 , 4 ' - ビフエニルテ トラカルボン酸二無 水物、 2, 3， 3 ' , 4 ' - ビフエニルテ トラカルボン 酸二無水物、 2 , 3 , 6 , 7 - ナフタ レンテ トラカルボ ン酸ニ無水物、 3 , 4, 9 , 1 0 -ペリ レンテ トラカル ボン酸二無水物、 2， 3， 6， 7 - アン トラセンテ トラ カルボン酸二無水物、 1， 2, 7 , 8 - フエナン ト レン テ トラカルボン酸二無水物、 ビス （ 2 , 3 - ジカルボキ シフエ二ル） メ タ ン二無水物、 ビス （ 3 , 4 - ジカルボ キシフエニル） メ タ ンニ無水物、 1， 2， 5 , 6 - ナフ タ レンテ トラ力ルボン酸二無水物、 2， 2 - ビス （ 2 ,
    [0109] 3 - ジカルボキシフエニル） プロパン二無水物、 2 , 2 - ビス （ 3 , 4 - ジカルボキシフエニル） プロパン二無 水物、 1 , 1 - ビス （ 2 , 3 - ジカルボキシフエニル） エタ ンニ無水物、 ビス （ 3 , 4 - ジカルボキシフエニル） スルホン二無水物、 ビス （ 3 , 4 一 ジカルボキシフエ二 ル） エーテル二無水物、 3 , 3 4 , 4 ' - テ トラ力 ルポキシベンゾォキシベンゼン二無水物、 N , N - ( 3 ,
    [0110] 4 ― ジアルポキシフエニル） N - メ チルァ ミ ンニ無水物、 チォフェ ン - 2， 3 , 4 , 5 - テ トラカルボン酸二無水 物、 ピラジン - 2 , 3 , 5 , 6 - テ トラカルボン酸二無 水物、 ピリ ジン - 2 , 3 , 5 , 6 - テ トラカルボン酸二 無水物、 1 , 2 , 3 , 4 - ブタ ンテ トラカルボン酸二無 水物、 ペンタ ンテ トラカルボン酸二無水物、 1 , 2 , 3 , 4 - シクロペンタ ンテ トラカルボン酸二無水物、 1 , 2 , 3 4 - ビシク ロへキセンテ トラ力ルボン酸二無水物、 1， 2 , 3， 4 - テ トラ ヒ ドロフラ ンテ トラカルボン酸 二無水物、 1， 2 , 3 , 4 - シク ロブタ ンテ トラカルボ ン酸ニ無水物、 2 , 3 , 5 - ト リ カルボキシシク ロペン チル酢酸二無水物等が挙げられる。
    [0111] また、 上記 （V) 式で表されるジァミ ン化合物として は、 炭素環式芳香族ジァミ ン、 複素環式ジァミ ン、 脂肪 族ジァミ ン、 脂環式ジァ ミ ン、 芳香脂肪族ジァミ ン等が 挙げられるが、 これらジァミ ンの単独もしく は複数のも のを同時に使用することができる。
    [0112] 炭素環式芳香族ジァ ミ ンの例としては特に次の化合物 が挙げられる。
    [0113] o - s m -及び P - フエ二レンジァ ミ ン、 ジア ミ ノ ト ルェン類 （例えば、 2 , 4 - ジア ミ ノ トルェン） 、 1 , 4 - ジァ ミ ノ - 2 - メ トキシベンゼン、 2 , 5 - ジア ミ ノキシレン類、 1 , 3 - ジァ ミ ノ - 4 - ク ロルベンゼン、 1， 4 - ジァミ ノ - 2 , 5 - ジクロルベンゼン、 1 , 4 - ジァ ミ ノ - 2 - ブロムベンゼン、 1 , 3 - ジァ ミ ノ - 4 - イ ソプロ ピルベンゼン、 N , N - ジフエニル - 1， 4 - フエ二レンジァ ミ ン、 4 , 4 ' - ジァ ミ ノフエニル - 2, 2 - プロパン、 4 , 4 ' - ジァ ミ ノフエニルメ タ ン、 2 , 2 ' - ジア ミ ノスチルベン、 4， 4 ' - ジア ミ ノ スチルベン、 4， 4 ' - ジァ ミ ノフエニルエーテル、 4， 4 ' ジァ ミ ノフエ二ル - チォェ一テル、 4 , 4 ' - ジア ミ ノ ジフエニルスルホン、 3 , 3 ' - ジア ミ ノ ジフ ェニルスルホン、 4 , 4 ' - ジァミ ノ安息香酸フエニル エステル、 2, 2 ' - ジァ ミ ノべンゾフエノ ン、 4， 4 ' - ジァ ミ ノべンゾフエノ ン、 4， 4 ' - ジァ ミ ノベン ジル、 4 - (4 ' ァ ミ ノ フエ二ルカルバモイル） - ァニ リ ン、 ビス （4 - ァ ミ ノ フエ二ル） - ホスフィ ンォキシ ド、 ビス （4 - ァ ミ ノ フエ二ル） - メチル - ホスフィ ン ォキシ ド、 ビス （ 3 - ア ミ ノフヱニル） - メチルスルフ イ ンォキシ ド、 ビス （ 4 - ァ ミ ノ フエニル） - フエニル ホスフィ ンォキシ ド、 ビス （4 - ァ ミ ノ フエ二ル） - シ クロへキシルホスフィ ンォキシ ド、 N， N - ビス （4 - ァ ミ ノ フエ二ル） - N - フエニルァ ミ ン、 N , N - ビス ( 4 - ァ ミ ノフエニル） - N - メチルァ ミ ン、 4 , 4 ' - ジア ミ ノ ジフエニル尿素、 1， 8 - ジァ ミ ノナフタ リ ン、 1， 5 - ジァ ミ ノナフタ リ ン、 1 , 5 - ジア ミ ノア ン トラキノ ン、 ジァ ミ ノ フルオラ ンテン、 4， 4 ' ジァ ミ ノベンズァニリ ド。
    [0114] 複素環式ジァミ ン類は例えば次の化合物である。
    [0115] 2 , 6 - ジァ ミ ノ ピリ ジン、 2 , 4 - ジァ ミ ノ ピリ ミ ジン、 2 , 4 - ジァ ミ ノ - s - ト リアジン、 2 , 7 - ジ ァ ミ ノ - ジベンゾフラ ン、 2 , 7 - ジァ ミ ノ カルバゾー ル、 3 , 7 - ジア ミ ノ フエノチアジン、 2 , 5 - ジア ミ ノ - 1 , 3 , 4 - チアジアゾール。
    [0116] また、 脂肪族ジア ミ ンの例と して挙げられるのは次の 化合物である。
    [0117] ジメチレンジァ ミ ン、 ト リ メチレンジァ ミ ン、 テ トラ メチレンジァ ミ ン、 へキサメ チレンジァ ミ ン、 ヘプタメ チレンジァ ミ ン、 ォクタメ チレンジァ ミ ン、 ノ ナメチレ ンジァ ミ ン、 デカメチレジァ ミ ン、 2 , 2 - ジメチルプ ロ ピレンジァ ミ ン、 2 , 5 - ジメ チルへキサメ チレンジ ァ ミ ン、 2， 5 - ジメチルヘプタメチレンジァ ミ ン、 4 , 4 - ジメチルヘプ夕メチレンジア ミ ン、 3 - メ トキシへ キサメチレンジア ミ ン、 5 - メチルノナメチレンジア ミ ン、 2 , 1 1 - ジア ミ ノ ドデカ ン、 1， 1 2 - ジァ ミ ノ ォキ夕デカ ン、 1 , 2 - ビス （ 3 - ァ ミ ノプロボキシ） - ェタ ン、 N, N' - ジメ チメ - エチレンジァ ミ ン、 N, Ν' - ジェチル - 1 , 3 - ジア ミ ノ ブロノ、。ン、 Ν， Ν ' - ジメチル - 1 , 6 - ジァ ミ ノへキサン、
    [0118] 式： H2 N (CH2 ) „ O (CH9 ) 2 O (CH2 ) „ NH2 で表されるジァ ミ ン、
    [0119] 式： H2 N (CH2 ) 3 S (CH2 ) 3 NH2
    [0120] で表されるジア ミ ンなどが挙げられる。
    [0121] 更に、 脂環式ジァ ミ ンと して適当な化合物は 1 , 4 - ジア ミ ノ シク ロへキサン及び 4 , 4 ' - ジァ ミ ノ - ジシ ク ロへキシルメ タ ンであり、 芳香脂肪族ジァ ミ ンと して は、 1， 4 - ビス （ 2 - メ チル - 4 - ァ ミ ノペンチル） - ベンゼン、 1， 4 - ビス （ 1 , 1 - ジメチノレ - 5 - ァ ミ ノペンチル） - ベンゼン、 1， 3 - ビス （ア ミ ノ メチ ル） - ベンゼン及び 1 , 4 - ビス （ア ミ ノ メチル） - べ ンゼンが適当である。
    [0122] また、 式 （V) で表される α , ω - ジア ミ ノ シロキサ ンの例と しては次のようなものがあるが、 これら単独も しく は複数のものを同時に使用することができる。
    [0123] a , ω - ジァ ミ ノ ク ロキサンは、 例えば 1， 1 , 3 , 3 - テ ト ラメ チノレ - 1 , 3 - ビス （4 - ァ ミ ノ フ エ二ル） ジ シロキサン、 1， 1 , 3, 3 - テ ト ラ フ エ ノ キシ - 1 , 3 - ビス （ 4 - ア ミ ノ エチル） ジ シロキサン、 1 , 1 , 3 , 3 , 5 , 5 - へキサメ チル - 1 , 5 - ビス （4 - ァ ミ ノ フ エニル） ト リ シロキサン、 1 , 1 , 3, 3 -テ ト ラ フ ェニル - 1， 3 - ビス （ 2 - ア ミ ノ エチル） ジ シロ キサン、 1 , 1 , 3, 3 - テ ト ラ フ エ二ノレ - 1 , 3 - ビ ス （3 - ァ ミ ノ プロ ピル） ジ シロキサン、 1 , 1 , 5, 5 - テ ト ラ フ エ二ノレ - 3 , 3 - ジメ チノレ - 1 , 5 - ビス (3 - ァ ミ ノ プロ ピル） ト リ シロキサン、 1， 1， 5， 5 - テ ト ラ フ ェニル - 3 , 3 - ジメ トキシ - 1 , 5 - ビ ス （ 4 - ア ミ ノ ブチル） ト リ シロキサン、 1 , 1 , 5 , 5 - テ ト ラ フ ェニル - 3， 3 - ジメ トキシ - 1 , 5 - ビ ス （5 - ァ ミ ノペンチル） ト リ シロキサン、 1 , 1， 3, 3 - テ ト ラ メ チノレ - 1 , 3 - ビス （2 - ア ミ ノ エチル） ジ シロキサン、 1 , 1 , 3， 3 - テ ト ラ メ チル - 1 , 3 - ビス （ 3 - ァ ミ ノ プロ ピル） ジシロキサン、 1 , 1， 3, 3 - テ ト ラ メ チル - 1 , 3 - ビス （4 - ア ミ ノ ブチ ル） ジ シロキサン、 1 , 3 - ジメ チノレ - 1 , 3 - ジメ ト キシ - 1， 3 - ビス （4 - ア ミ ノ ブチル） ジ シロキサン、 1 , 1， 5 , 5 - テ ト ラ メ チノレ - 3， 3 - ジメ トキシ - 1， 5 - ビス （2 - ア ミ ノ エチル） ト リ シロキサン、 1 , 1 , 5 , 5 - テ ト ラ メ チル - 3, 3 - ジメ トキシ - 1 , 5 - ビス （3 -ァ ミ ノ プロ ピル） ト リ シロキサン、 1 , 1， 5， 5 - テ トラメ チノレ - 3 , 3 - ジメ トキシ - 1 , 5 - ビス （4 - ア ミ ノブチル） ト リ シロキサン、 1 , 1 , 5 , 5 - テ トラメ チル - 3 , 3 - ジメ トキシ - ：1 , 5 - ビス （ 5 - ァ ミ ノペンチル） ト リ シロキサン、 1 , 1， 3， 3， 5 , 5 - へキサメチル - 1 , 5 - ビス （3 - ァ ミ ノプロ ピル） ト リ シロキサン、 1 , 1， 3, 3 , 5 , 5 - へキサェチル - 1， 5 - ビス （ 3 - ァ ミ ノプロ ピル） ト リ シロキサン、 1 , 1 , 3 , 3， 5 , 5 - へキサプロ ピル - 1， 5 - ビス （ 3 - ァ ミ ノプロ ピル） ト リ シロキ サン等が挙げられる。 α , ω - ジァ ミ ノ シキロキサンの 使用される量は、 ジァミ ンの全量に対して 0. 0 1〜 2 0モル％好ま しく は 0. 0 1 ~ 5モル％である。
    [0124] ポリアミ ド酸の合成反応の際、 使用される有機溶媒と しては Ν, Ν - ジメ チルァセ トア ミ ド、 Ν, Ν - ジェチ ルア ミ ド、 Ν , Ν - ジメチルホルムアミ ド、 Ν , Ν - ジ メ チルメ トキシァセ トア ミ ド、 Ν - メチル - 2 - ピロ リ ドン、 Ν - ァセチル - 2 - ピロ リ ドン、 へキサメチル燐 酸ト リア ミ ド 〔へキサメ タポール （Hexametapol ) 〕 、 N, N, N, N - テ トラメ チル尿素、 テ トラ ヒ ドロフラ ン、 シクロへキサノ ン、 テ トラ ヒ ドロチォフェンジォキ シ ド、 及びメ チルスルホキシ ドなどの極性有機溶媒を挙 げることができ、 これらの単独または 2成分以上の混合 物を使用できる。 またキシレン、 トルエン、 エチレング リ コール乇ノエチルエーテルなどをこれらに混合して使 用するこ と もできる。
    [0125] 本発明において使用される金属導体箔は、 鋦、 アルミ 二ゥム、 銀、 金、 鉄、 ニッケルとク ロムとの合金等、 各 種材質からなるものが用いられるが特に限定されるもの ではない。 また、 金属導体箔は、 二ッケルメ ッキ、 また はァノレミニゥムアルコラー ト、 アルミニウムキレー ト、 シラ ンカツプリ ング剤等によって化学的、 機械的な表面 処理が施されてもよい。
    [0126] 本発明において金属導体箔上にポリイ ミ ドフィ ルム層 を形成させる方法としては、 金属箔の表面にポリイ ミ ド 前駆体を 1〜 5 0重量％含むワニスをロールコ一夕一、 コ ンマコーター、 ナイフコーター、 ドク ターブレー ド、 フローコ一夕一、 密閉コ一ター、 リバーコ一夕一、 ギヤ 一等を用いる押出流延法などによる塗工して、 6 0 ~
    [0127] 2 0 0 で乾燥する方法が挙げられるが、 特に限定され ない。
    [0128] 次に上記のようにして塗布してポリイ ミ ド前駆体層を 多層として加熱硬化する。
    [0129] その硬化温度は 2 0 0〜 4 5 0。Cであり、 好ま しく は
    [0130] 3 0 0〜 4 3 0 °Cである。
    [0131] 本発明における乾燥、 硬化を行う雰囲気としては、 ポ リイ ミ ドフィ ルムおよび金属導体箔の酸素による劣化を 防ぐため、 不活性ガス雰囲気で行うのが好ま しい。
    [0132] このようにして得られたフ レキシブルプリ ン 卜基板の 金属導体箔の不要部分を公知の方法でエッチングし、 導 体回路を形成し、 その上から絶縁被膜'をカバーし、 孔ぁ けをして回路基板を得ることができる。
    [0133] 前記回路基板に L S I等の半導体装置その他の電子部 品を公知の方法により実装して電子装置を作ることがで さる o
    [0134] 本発明のフレキシブルプリ ン 卜基板は、 エッチングに より金属導体箔の不要部分を除いた際のポリイ ミ ドフィ ルムのカールを、 複層化されたポリイ ミ ドフィ ルムの線 熱膨脹係数の差の利用し、 最外層の乾燥、 硬化の際の休 積収縮につて内側の複数の層に発生する応力を除去する ことにより抑制するようにしたことが特徴である。 発明を実施するための最良の形態 実施例及び比較例をあげ本発明を詳細に説明するが、 本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 線熱膨脹係数は、 ィ ミ ド化反応が十分終了した試料を サーモメカニカルアナライザー （T M A ) を用いて、
    [0135] 1 0 0 T!から 2 5 0でまでを算出した。
    [0136] 弾性率は、 イ ミ ド化反応が十分終了した試料を用いて 引張試験機を用いて A S T M D 6 3 8に準じて測定し た。
    [0137] ポリイ ミ ドフィ ルムの Q 値は、 フレキシブルプリ ン ト基板を塩化第 2鉄溶液で全面ェッチングして金属導 体箔を除去した後、 1 0 cmx 1 0 cmの大きさのフィ ルム にして 1 0 0 で 1 0分間乾燥したのち、 発生した力一 ルの曲率半径 （cm) を測定し、 その 2倍の値 （Q) とし た。 実施例に示す、 Q i は 2層の場合の内側一層の Q値、 Q2 は 3層の場合の内側 2層の Q値、 Qm はポリイ ミ ド フィ ルム全積層の Q値である。
    [0138] フレキシブルプリ ン ト基板のカールは、 硬化後の基板 の曲率半径 （cm) を測定しその 2倍をカールの値と した。 残存溶媒率は、 乾燥したポリ イ ミ ド前駆体のサーモグ ラ ピメ ト リ ックアナライザ一 （T G A) による重量'减少 により求めた。
    [0139] ィ ミ ド化率は、 赤外線吸光分析によるィ ミ ド基の吸収 波長 1 780 cm_1の吸光量を求め、 同サンプルを 1 0 0 %ィ ミ ド化した時のィ ミ ド基の吸光量に対する百分率と した。
    [0140] 銅箔は、 日本鉱業製、 商品名 J T C、 厚さ 3 5 // m、 平均表面粗度 R z 7 ^ mのものを用いた。 この平均表 面粗度は三次元表面粗度計を用いて測定した。
    [0141] (合成例 1 )
    [0142] (ポリィ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 の調製）
    [0143] 温度計、 撹拌機、 窒素吹き込み口を付けた 2 リ ッ トル の反応容器に毎分 5 0mlの窒素ガスを通気させながら、 ジァミ ン成分としてパラフエ二レンジアミ ン （以下 ρ - P D Aと略記する） 4 7. 4 3 g ( 0. 4 3 9モル） 、 合成溶媒として N， Nジメチルァセ トア ミ ドの 1 0 0 0 gを仕込み、 2 0 °Cに冷却しながら酸無水物として 3,
    [0144] 3 ' ， 4， 4' ビフエニルテ トラカルボン酸二無水物 (以下 s - B P D Aと略記する） 1 2 9. 0 3 g ( 0.
    [0145] 43 9モル） を徐々に加えたのち 6時間攪拌しながら重 合反応させ、 固形分濃度 1 5重量％のポリイ ミ ド前駆体 溶液 〔 I〕 を得た。
    [0146] このポリイ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 の粘度は 56 0 0 0 cps であった。 この溶液を銅箔上にポリイ ミ ド化後のフ イ ルム厚さが 3 0 mになるよう流延塗布し、 1 0 0 で 1 0分間乾燥後、 3 5 0でまで 1時間かけて昇温を行 い、 3 5 0 で 3 0分間焼成し、 イ ミ ド化してフレキシ ブルプリ ン ト基板を得た。 この基板の銅箔を塩化第二鉄 溶液でェツチングしてポリィ ミ ドフィ ルムを得た。 この フィ ルムの線熱膨脹係数は 1. 5 X 1 0_5 で、 弾性 率は 7 60 kg/mm であった。
    [0147] (合成例 2)
    [0148] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔II〕 の調製）
    [0149] ジァミ ン成分として 4， 4 ' ジアミ ノ ジフエ二ルエー テル （以下 D D Eと略記する） 7 1. 4 6 g (0. 3 5 7モル） 、 酸無水物成分と して s - B P D A
    [0150] 1 0 5. 0 0 g ( 0. 3 57モル） を使用した以外は合 成例 1 と同様にして行いポリイ ミ ド前駆体溶液 〔II〕 を 得た。 このポリィ ミ ド前駆体溶液 〔II〕 の粘度は 4 8 0 0 0 cps であつた。 合成例 1 と同様にして得られたこのポリ イ ミ ドフィ ルムの線熱膨脹係数は 3. 0 X 1 0— 5 で、 弾性率は 3 1 0 kg/mm" であった。
    [0151] (合成例 3 )
    [0152] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔m〕 の調製）
    [0153] ジァ ミ ン成分と して D D E 84. 4 6 g
    [0154] ( 0. 4 2 2モル） 、 酸無水物成分と してピロメ リ ッ ト 酸二無水物 （以下 P MD Aと略記する） 9 2. 0 1 ( 0. 4 2 2モル） を使用した以外は合成例 1 と同様に して行いポリイ ミ ド前駆体溶液 〔ΠΙ〕 を得た。
    [0155] このポリイ ミ ド前駆体溶液 〔ΠΙ〕 の粘度は
    [0156] 4 3 0 0 0 cps であった。 この前駆体から合成例 1 と同 様にして得られたポリイ ミ ドフィ ルムの線熱膨脹係数は 3. 0 X 1 0— で、 弾性率は 3 0 0 kg/mm2 であつ た。
    [0157] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 （ 1 ) の調製）
    [0158] ポリイ ミ ド前駆体溶液の 〔 I〕 と 〔Π〕 とを 8 ·· 2の モル比で十分撹拌し、 ポリイ ミ ド前駆体溶液 （ 1 ) を得 ナ"
    [0159] この溶液から合成例 1 と同様にして得られたこのポリ イ ミ ドフィ ルムの線熱膨脹係数は 1. 8 X 1 0一5 。 Cで、 弾性率は 6 1 0 g/ 2 であった。
    [0160] (ポリィ ミ ド前駆体溶液 （ 2 ) の調製） ポリイ ミ ド前駆体溶液の 〔 I〕 と 〔II〕 とを 6 : 2の モル比で十分撹拌し、 ポリイ ミ ド前駆体溶液 （ 2 ) を得 た。
    [0161] この溶液から合成例 1 と同様にして得られたこのポリ イ ミ ドフィ ルムの線熱膨脹係数は 2. 4 1 0一5 Zてで めった。
    [0162] (実施例 1 )
    [0163] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 を銅箔上にポリィ ミ ド化 後のフィ ルム厚さが 24 mになるよう流延塗布し、 80 で 5分間乾燥させた。 得られたポリイ ミ ド前駆体 層は、 残存溶媒率 1 2 0 %、 イ ミ ド化率 8 %であり、 ポ リイ ミ ド化後のフイ ノレムの Q ]L 値は 1. 1 cmであった。
    [0164] この前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔II〕 を ボリイ ミ ド化後のフィ ルム厚さが 6 μ mになるように流 延塗布し、 1 0 0 で 1 0分間乾燥した。 その後 3 50 まで 1時間かけて昇温を行い、 3 5 0 にて 3 0分間 焼成した。 この結果、 前駆体層は二層のポリイ ミ ドとな り、 フ レキシブルプリ ン ト基板が得られた。 Qn—丄 · t n 値は 6. 6である。
    [0165] 得られたこの基板はカールせず、 エッチング後導体を 除去してもカールの発生は認められなかつた。 この二層 からなるポリイ ミ ドフィ ルムの全体の線熱膨脹係数は 1. X 1 0 _5 であつた。 (実施例 2 )
    [0166] ポリ イ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 を銅箔上にポリィ ミ ド化 後のフィ ルム厚さが 1 5 mになるよう流延塗布し、
    [0167] 2 0 0。Cで 3 0分間乾燥させた。 得られたポリイ ミ ド前 駆体層は、 残存溶媒率 4 %、 イ ミ ド化率 8 5 %であり、 ポリイ ミ ド化後のフィ ルムの Q i 値は 0 . 7 cmであった。
    [0168] この前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 Π Η ) をポリイ ミ ド化後のフィ ルム厚さ力《 1 0 〃 mになるよう に流延塗布し、 1 ◦ 0 °Cで 1 0分間乾燥した。 その後 8 5 0 まで 1時間かけて昇温を行い、 3 5 0 にて
    [0169] 3 0分間焼成した。 その結果、 前駆体層は二層のポリィ ミ ドとなり、 フレキシブルプリ ン ト基板が得られた。
    [0170] Q n_{ · t n 値は 7 . 0である。
    [0171] 得られたこの基板は力一ルせず、 エツチング後導体を 除去してもカールの発生は認められなかった。 この二層 からなるポリイ ミ ドフィ ルムの全体の線熱膨脹係数は 2 . 4 X 1 0— 5 であつた。
    [0172] (実施例 3 )
    [0173] 前記の前駆体溶液 （ 1 ) を銅箔上にポリィ ミ ド化後の フィ ルムの厚さが 2 0 mになるよう流延塗布し、
    [0174] 1 0 0てで 1 0分間乾燥させた。 得られたポリイ ミ ド前 駆体層は残存溶媒率 8 5 %、 イ ミ ド化率 1 0 %であり、 このポリイ ミ ド化後のフィ ルムの Q 値は 1 . 5 cmであ つた。 この前駆体層の上層に前記の前駆体溶液 （ 2 ) をポリ イ ミ ド化後のフイ ノレムの厚さ力 1 0 mになるよう、 流 延塗布し 1 0 0 で 1 0分間乾燥した。 その後 3 5 0 ¾ まで 1時間かけて昇温を行い、 3 5 0 °Cにて 3 0分間焼 成した。 その結果、 前駆体層は二層のポリィ ミ ドとなつ てフ レキシブルプリ ン ト基板が得られた。 Q^, · t n は 1 5である。
    [0175] 得られたこの基板はカールせず、 エッチング後もカー ルの発生は認められなかった。 この二層からなるポリィ ミ ドフィルムの全体の線熱膨脹係数は 2. 0 x 1 0 "V :であった。
    [0176] (合成例 4 )
    [0177] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔Α〕 の調製）
    [0178] ジァ ミ ン成分として Ρ - P D A 4 1. 7 3 g
    [0179] ( 0. 3 8 6モル） と D D E 8. 5 9 g ( 0. 0 4 3 モル） 、 酸無水物成分として s - B P D A
    [0180] 1 2 6. 1 5 g ( 0. 4 2 9モル） を使用した以外は、 合成例 1 と同様にして行いポリィ ミ ド前駆体溶液 〔A〕 を得た。
    [0181] (合成例 5 )
    [0182] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔C〕 の調製）
    [0183] ジァ ミ ン成分として P - P D A 3 0. 3 0 g ( 0. 2 8 0モル） と α , ω - , - ジ - ( 3 - ア ミ ノブ 口ピル） ポリ ジメチルシロキサン 4 3. 1 4 g (0. 07モル） とを使用し、 酸無水物成分と して s - B P DA 1 03. 03 g (0. 350モル） を使用し た以外は、 合成例 1と同様にして行いポリィ ミ ド前駆体 〔C〕 を得た。
    [0184] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 UV〕 の調製）
    [0185] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔A〕 とポリイ ミ ド前駆体溶液 〔C〕 を 20 ： 1のモル比で混合撹拌を行い、 ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔IV〕 を得た。 このポリィ ミ ド前駆体溶液 〔IV〕 の粘度は 78000 cps であった。 この前駆体溶 液 〔IV〕 から合成例 1と同様にして得られたこのポリィ ミ ドフィ ルムの線熱膨脹係数は 1. 8 Χ 1 0_5Ζ で、 弾性率は 620 kg/mm2 であった。
    [0186] (合成例 6)
    [0187] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔B〕 の調製）
    [0188] ジァ ミ ン成分として P - P D A 32. 67 g
    [0189] (0. 302モル） と DD E 1 9. 99 g (0. 1 00 モル） とを使用し、 酸無水物成分と して s - B P D A 1 18. 22 g (0. 402モル） を使用した以外は、 合成例 1と同様にして行いポリ ィ ミ ド前駆体溶液 〔B〕 を得た。
    [0190] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔V〕 の調製）
    [0191] ポリイ ミ ド前駆体 〔B〕 とポリイ ミ ド前駆体 〔C〕 を 1 0 : 1のモル比になる様混合撹拌を行いポリィ ミ ド前 駆体溶液 〔V〕 を得た。 このポリイ ミ ド前駆体 〔V〕 の 粘度は 65000 cps であった。 合成例 1と同様にして 得られたこのポリ イ ミ ドフィ ルムの線熱膨脹係数は 2. 2 X 1 0 _5Zてで、 弾性率は 570 kg/mm であつ た。
    [0192] (合成例 7)
    [0193] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔D〕 の調製）
    [0194] ジァ ミ ン成分として P - P D A 26. 07 g
    [0195] (0. 24 1モル） と DD E 32. 18 g ( 0. 161 モル） とを使用し、 酸無水物成分として s - B P D A 1 18. 22 g (0. 402モル） を使用した以外は、 合 成例 1と同様にして行いポリィ ミ ド前駆体溶液 〔D〕 を
    [0196] 1守た o
    [0197] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔VI〕 の調製）
    [0198] ポリイ ミ ド前駆体 〔D〕 とポリイ ミ ド前駆体 〔C〕 を 20 : 1のモル比で混合撹拌を行いポリィ ミ ド前駆休溶 液 〔VI〕 を得た。 このポリイ ミ ド前駆体溶液 〔VI〕 の粘 度は 56000 cps であつた。 合成例 1と同様にして得 られたこのポリイ ミ ドフィ ルムの線熱膨脹係数は 2. 4 X 1 0 _5/でで、 弾性率は 520 kg/im2 であった。
    [0199] (実施例 4 )
    [0200] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔IV〕 を銅箔上にポリイ ミ ド化 後のフィ ルム厚さが 21 mになるよう流延塗布し、 1 00 °Cで 5分間乾燥させた。 得られたポリ イ ミ ド前駆 体層の残存溶媒率は 95%、 イ ミ ド化率は 5 %であり、 このポリイ ミ ド後のフイ ノレム Q丄 の値は 1. 7 cmであつ た。
    [0201] この前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 !: VI〕 を ポリイ ミ ド化後のフイ ノレムの厚さ力 1 0〃 mになるよう、 流延塗布し、 1 00°Cで 1 0分間乾燥した。 その後、 350 X：まで 1時間かけて昇温を行い、 350 にて 30分間焼成した。 その結果、 前駆体層は二層のポリィ ミ ドとなり、 フレキシブルプリ ン ト基板が得られた。
    [0202] Qn , · Τη 値は 1 7である。
    [0203] 得られたこの基板はカールせず、 エッチング後導体を 除去してもカールの発生は認められなかった。 この二層 からなるポリイ ミ ドフ ィ ルムの全体の線熱膨脹係数は
    [0204] 2. 1 X 1 0 " であった。
    [0205] (実施例 5)
    [0206] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔V〕 を銅箔上にポリィ ミ ド化 後のフィ ルムの厚さが 23 z mになるよう流延塗布し、 1 00 °Cで 5分間乾燥させた。 得られたポリィ ミ ド前駆 体層は、 残存溶媒率 95%、 イ ミ ド化率 5%であり、 ポ リイ ミ ド化後のフイ ノレムの Q丄 値は 1. 8 cmであった。
    [0207] この前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔VI〕 を ポリイ ミ ド化後のフイ ノレムの厚さが 8 mになるよう、 流延塗布し、 1 00 °Cで 1 0分間乾燥した。 その後、
    [0208] 350 ¾まで 1時間かけて昇温を行い、 350てにて
    [0209] 30分間焼成した。 その結果、 前駆体層は二層のポリィ ミ ドとなって、 フレキシブルプリ ン ト基板が得られた。 Q n-1 · t r の値は 1 0. 4である。
    [0210] 得られたフレキシブルプリ ン ト基扳はカールせず、 ェ ッチング後導体を除去してもカールの発生は認められな かった。 この二層からなるポリイ ミ ドフィ ルムの全体の 線熱膨脹係数は 2. 2 X 1 0— 5Z°Cであった。
    [0211] (実施例 6)
    [0212] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔IV〕 を銅箔上にポリイ ミ ド化 後のフィ ノレムの厚さ力《1 0 mになるよう流延塗布し、 1 00 で 5分間乾燥させた。 得られたポリイ ミ ド前駆 体層は、 残存溶媒率 9 5%、 イ ミ ド化率 5%である。
    [0213] この前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔IV〕 を ポリイ ミ ド化後のフィ ルム厚さが 1 0 i mになるよう流 延塗布し、 1 00てで 5分間乾燥した。 第 2層目のポリ ィ ミ ド前駆体層は、 残存溶媒率 95%、 イ ミ ド化率 5% であり、 この二層からなるフィルムのポリイ ミ ド化後の フイ ノレムの Q2 値は 1. 5 cmであった。
    [0214] 更にその上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔VI〕 をポリイ ミ ド化後のフイ ルム厚さが 1 0 ^ mになるよう、 流延塗 布し、 1 00 で 1 0分間乾燥した。 その後 350てま で 1時間かけて昇温を行い、 350てにて 30分間焼成 した。
    [0215] この結果、 前駆体層は三層のポリイ ミ ドとなり、 フ レ キシブルプリ ン ト基板が得られた。 Q ^丄 ♦ t n の値は 1 5である。
    [0216] 得られたこの基板は力ールせず、 エツチング後導体を 除去してもカールの発生は認められなかった。 この三層 からなるポリ イ ミ ドフィ ルムの全体の線熱膨脹係数は
    [0217] 2. 1 x 1 0 _5κ であつた。
    [0218] (比較例 1 )
    [0219] 合成例 1 において得られたポリィ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 を銅箔上にポリイ ミ ドフィ ルムの厚さが 2 6 mになる よう流延塗布し、 1 0 0 °Cで 1 0分間乾燥した。 その後 3 5 0 まで 1時間かけて昇温を行い、 3 5 0 °Cで 3 0 分間焼成した。
    [0220] この結果、 前駆体層は一層のポリイ ミ ドフィ ルムとな り、 フ レキシブルプリ ン ト基板を得た。
    [0221] 得られたこの基板にはカールが生じないが、 エツチン グ後導体を除去したフィ ルム Q m 値は 0. 7 cmであった。
    [0222] (比較例 2 )
    [0223] 合成例 2において得られたポリイ ミ ド前駆体溶液 〔 II〕 を銅箔上にポリイ ミ ド化後のフィ ルムの厚さが 2 5 mになるよう流延塗布し、 比較例 1 と同様にしてフレ キシブルプリ ン ト基板を得た。 得られたフ レキシブルプ リ ン ト基板は 3. 0 cmの力一ルが生じた力く、 エツチング 後導体を除いてもカールの発生が認められなかった。
    [0224] (比較例 3 )
    [0225] 合成例 3において得られたポリイ ミ ド前駆体溶液 〔ΙΠ〕 を鋦箔上にポリ ィ ミ ド化後のフィ ルムの厚さが 25〃 m になるよう流延塗布し、 比較例 1と同様にしてフレキシ ブルプリ ン ト基板を得た。 得られたフレキシブルプリ ン ト基扳は 3. 0 cmのカールが生じた力《、 エッチング後導 体を除去してもカールの発生が認められなかった。
    [0226] (比較例 4)
    [0227] ポリ イ ミ ド前駆体溶液 〔II〕 を銅箔上にポリィ ミ ド化 後のフィ ルムの厚さが 6 になるよう流延塗布し、 1 00 で 5分間乾燥させた。 得られたポリィ ミ ド前駆体 層は残存溶媒率 75%、 イ ミ ド化率 8%であった。
    [0228] この前駆体層の上層にポリィ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 を イ ミ ド化後のフ ィ ルムの厚さ力《 24 mになるよう、 流 延塗布し、 1 00 で 1 0分間乾燥した。 その後 350 まで 1時間かけて昇温を行い、 350 にて 30分間 焼成した。
    [0229] その結果、 前駆体層は、 二層のポリィ ミ ドとなり、 フ レキシブルプリ ン ト基扳を得た。
    [0230] 得られたフ レキシブルプリ ン ト基板は 4. 5 cmの力一 ルが生じ、 エツチング後導体を除去ししたフィルムの Q m 値は 4. 0 cmであった。 この二層からなるポリイ ミ ドフ ィ ルムの全体の線熱膨脹係数は 1. 9 x 1 0_5Z°C であった。
    [0231] (比較例 5)
    [0232] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔II〕 ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 を 4 : 1の体積比で混合を行い銅箔上にポリイ ミ ドフ ィ ルム厚さ力《 3 ◦ mになるよう、 流延塗布し、 1 0 0 で 1 0分間乾燥した。 その後 3 5 0 °Cまで 1時 間かけて昇温を行い、 3 5 0 °Cにて 3 0分間焼成した。
    [0233] その結果、 前駆体層はポリ イ ミ ドフ ィ ルム層となり 、 フレキシブルプリ ン ト基板を得た。
    [0234] 得られたフレキシブルプリ ン ト基板にカールは生じな いが、 エッチング後導体を除去したフイ ルムの Q m 値は 4 . 0 cmでありカールの発生が認められた。 このポリ ィ ミ ドの線熱膨脹係数は 2 . 0 X 1 0 _5 であつた。
    [0235] (比較例 6 )
    [0236] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔I V〕 を銅箔上にポリイ ミ ド化 後の厚さが 2 0 mになるよう流延塗布し、 1 0 0 °Cで 3 0分間乾燥後 2 5 0 eCで 1 0分間乾燥した。 得られた ポリイ ミ ド前駆体の残存溶媒率は 3 %、 イ ミ ド化率は 9 3 %であった。
    [0237] この前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔V I〕 を ポリイ ミ ド化後のフイ ノレムの厚さ力《 1 0 〃 mになるよう、 流延塗布し、 1 0 0 で 1 ◦分間乾燥した。 その後
    [0238] 3 5 0 まで 1時間かけて昇温を行い、 3 5 0 °Cにて 3 0分間焼成した。
    [0239] その結果、 前駆体層は、 二層のポリイ ミ ドとなり、 フ レキシブルプリ ン ト基板を得た。
    [0240] 得られたフレキシブルプリ ン ト基板の第 1層のポリィ ミ ドと第 2層のポリイ ミ ドにおいて層間剥離を生じて、 目的のフィ ルム厚さのフレキシブルプリ ン ト基板が得ら れなかった。 '
    [0241] (比較例 7 )
    [0242] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 を銅箔上にポリィ ミ ド化 後の厚さが 1 0 ^ mになるよう流延塗布し、 2 0 0でで 3 0分間乾燥した。 得られたポリイ ミ ド前駆体層の残存 溶媒率は 4 %、 イ ミ ド化率は 8 5 %であり、 ポリイ ミ ド 化後のフィルムの Q i 値は 0 . 3 cmであった。 つぎにこ の前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔m〕 をポリ ィ ミ ド化後の厚さが 1 5 mになるように流延塗布し、 1 0 0 で 1 0分間乾燥した。 その後、 3 5 0でまで 1 時間かけて昇温を行い、 3 5 0 °Cにて 3 0分間焼成した。
    [0243] その結果、 前駆体層は二層のポリイ ミ ドとなり、 フ レ キシブルプリ ン ト基板が得られた。
    [0244] 得られたこの基板にはカールは 1 0 cmで、 エツチング 後導体を除去したフィ ルムの Q _ 値は一 4 . 0 eraすなわ ち逆カールの発生が認められた。 この二層からなるポリ イ ミ ドフィ ルムの全体の線熱膨脹係数は 2 . 4 X 1 0 "5 Zてであった。
    [0245] (比較例 8 )
    [0246] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔 I〕 を銅箔上にポリィ ミ ド化 後のフィルムの厚みが 2 9 になるように流延塗布し、 2 0 0 で 1 0分間乾燥させた。 得られたポリイ ミ ド前駆体層の残存溶媒率は 6 %、 ィ ミ ド化率は 85%でありポリイ ミ ド化後のフイ ルムの Q丄 値は 0. 7 cmであつた。
    [0247] この前駆体の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔Π〕 をポ リイ ミ ド化後のフィルムの厚さ力《 1 cz mになるよう流延 塗布し、 1 30。Cで 5分間乾燥後、 350てまで 1時間 かけて昇温を行い、 更に 35◦ °Cで 30分間焼成しフ レ キシブルプリ ン ト基板を得た。 Qi · t n 値は 0. 7で ある。
    [0248] 得られたフレキシブルプリ ン ト基板にはカールが認め られなかったが、 導体をエッチングにより除去した後の フィルムのカールは 7 cmであった。
    [0249] (合成例 8)
    [0250] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔VII〕 の調製）
    [0251] ジァ ミ ン成分と し D D E 67. 64 g (0. 338モ ル） 、 酸無水物成分として 3, 3 ' , 4, 4 ' - ベンゾ フエノ ンテ トラ力ルボン酸二無水物 （ B T D A)
    [0252] 1 08. 82 g (0. 338モル） を使用した以外は合 成例 1と同様にして行いポリィ ミ ド前駆体溶液 〔VE〕 を 得た。 このポリイ ミ ド前駆体の粘度は 47000 c p s でめゥた o
    [0253] 合成例 1同様にして得られたこのポリィ ミ ドの線熱膨 脹係数は 5. 4 X 1 0""5ノ で、 弾性率は 31 OkgZ mm でめった。 (合成例 9 )
    [0254] (ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔VI〕 の調製） ジァ ミ ン成 分とし D D E 33. 9 1 ( 0. 1 6 9モル) 、 4 , 4 ' - ジァミ ノべンズァニリ ド （以下 D A B A N) と略 記する） 4 6. 96 g ( 0. 2 0 7モル） 酸無水物成分 として P MD A 9 5. 6 2 g ( 0. 3 76モル） を使用 した以外は合成例 1 と同様にして行いポリイ ミ ド前駆体 溶液 〔VI〕 を得た。 このポリイ ミ ド前駆体の粘度は
    [0255] 780 0 0 c p sであった。
    [0256] 合成例 1 と同様にして得られたこのポリイ ミ ドフィル ムの線熱膨脹係数は 1. 5 X 1 0_5 であった。
    [0257] (比較例 9 )
    [0258] ポリイ ミ ド前駆体溶液 〔VI〕 を銅箔上にポリィ ミ ド化 後の厚さが 24 mになるように流延塗布し、 1 3ひ で 5分間乾燥した。 得られたポリィ ミ ド前駆体層のポリ イ ミ ド化後のフィルムの 値は 0. 7 c mであった。
    [0259] この前駆体層の上層にポリイ ミ ド前駆体溶液 〔νπ〕 を ポリイ ミ ド化後のフイルムの厚さが 2 mに流延塗布し、 1 3 0 で 5分間乾燥後、 3 5 0 まで 1時間かけて昇 温を行い、 さらに 3 5 0 で 3 0分間焼成し、 フレキシ ブルプリ ン ト基板を得た。 Q n _丄 · t n 値は 1. 4であ
    [0260] O o
    [0261] 得られたフレキシブル基板は、 エツチング後導体を除 去してもカールの発生は認られなかったが、 フレキシブ ル基板は 7 . 5 c mのカールが認られた。
    [0262] 産業上の利用可能性
    [0263] 本発明のフ レキシブルプリ ン ト基板は、 硬化直後の力 ールはなく、 エッチングによる回路形成後にもカールが 生じない。 また、 本発明のフレキシブル基板の製造法に より、 上記のような優れた基板が提供できる。
    [0264] また、 本発明のフレキシブルプリ ン ト基板により、 す ぐれた回路基板と電子装置が提供できる。
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    1. ポリイ ミ ド前駆体を金属導体箔上に直接塗布し 乾燥した後、 加熱硬化してポリイ ミ ド膜を形成すること により得られるフ レキシブルプリ ン ト基板において、 前 記ポリィ ミ ド膜が 2層以上のポリィ ミ ドの積層からなり、 金属導体箔に接している第 1層のポリィ ミ ドの線熱膨脹 係数より も第 2層以降の少なく とも 1つのポリイ ミ ド層 の線熱膨脹係数が大きく、 かつ、 式 3. 0 < Q- 1 x t n < 5 0 および 式 t n-i 〉 t n
    〔ただし、 t nは積層ポリィ ミ ドの最外層 （第 n層） の厚み （ m) 、 t n-1 は積層ポリイ ミ ドの第 1から第 n— 1層までで構成されるフィルムの厚み （/a m) 、
    Qn_1 は積層ポリイ ミ ドの第 1から第 n— 1層まで構成 されるフィルムが発生するカールの曲率半径の 2倍の値
    ( c m) を示す〕 をみたすフレキシブルプリ ン ト基板。
    2. 第 1層のポリイ ミ ドの線熱膨脹係数が 1. 0 X 1 0一5〜 2. 3 x 1 0一5/ であり、 積層された全体の ポリイ ミ ド腠の線熱膨脹係数が 1. 5 X 1 0 "〜 3. 0 X 1 0一5 でである請求項 1に記載のフレキシブルプリ ン ト基板。
    3. 第 1層のポリイ ミ ドの弾性率が 50 0〜 80 0 kg/mm2 である請求項 1記載のフレキシブルプリ ン ト基 板,
    4 式
    Rz
    0. OK < 0. 10 (a)
    x
    n-i
    〔ただし、 t は積層ポリィ ミ ドの第 1から第 n— 1 層まで構成されるフィ ルムの厚み （ // m) 、 t n は積層 ポリイ ミ ドの最外層 （第 n層） の厚み （ ^ m) 、 R z は 金属導体箔の平均表面粗度 （ m) を示す。 〕 の条件をみたす請求項 1記載のフレキシブルプリ ン ト基 板。
    5. 金属箔上に 2以上のポリイ ミ ド前駆体の溶液を 順次、 塗布乾燥する 2つ以上の工程と、 このようにして 得られた金属導体箔上に 2以上のポリイ ミ ド前駆体の層 の形成された複合板を加熱硬化させる工程とからなり、 金属導体箔の片面に 2層以上のポリィ ミ ド膜が被覆され てなるフレキシブルプリ ン ト基板の製造法。
    6. 金属導体箔に接している第 1層のポリイ ミ ドの 線熱膨脹係数より も第 2層以降の少なく とも 1つのポリ ィ ミ ド層の線熱膨脹係数が大きく なるように、 それらポ リィ ミ ド前駆体を選定し、
    式 3 . 0 < Q n-i x t - < 5 0 および
    式 n-1 > t n
    (ただし、 t nは積層ポリィ ミ ドの最外層 （第 n層） の厚み （〃 m) 、 t n , は積層ポリイ ミ ドの第 1から第 n— 1層までで構成されるフィルムの厚み （ ^ m) 、 Q { は積層ポリイ ミ ドの第 1から第 n— 1層まで構成 されるフィルムが発生するカールの曲率半径の 2倍の値 ( c m) を示す） をみたす請求項 5記載の製造法。
    7. 第 1層のポリイ ミ ドの線熱膨脹係数が 1. O x 1 0_5〜 2. 3 X 1 0— 5/ °Cであるようにこのポ リ イ ミ ド前駆体を選定する請求項 6に記載の製造法。
    8. 第 1層のポリイ ミ ドの線熱膨脹係数より も第 2 層のポリィ ミ ドの線熱膨脹係数が大きく なるようにこれ らポリイ ミ ド前駆体を選定する請求項 7記載の製造法。
    9. 第 1層のポリイ ミ ドの弾性率を 5 0 0〜 80 0 kg/随 2 であるようにポリイ ミ ド前駆体を選定する請求 項 6記載の製造法。
    1 0. 式
    Rz
    0. O K <0. 10 …… (a)
    t , x t
    n-1 n
    〔ただし、 t n_{ は積層ポリイ ミ ドの第 1から第 n— 1 層まで構成されるフィルムの厚み （ m) 、 t n は積層 ポリイ ミ ドの最外層 （第 n層） の厚み （ z m) 、 R zは 金属導体箔の平均表面粗度 （ m) を示す。 〕
    の条件をみたす請求項 6記載の製造法。
    1 1. ポリイ ミ ド前駆体の層が 3以上であり、 第 3 層以降の前駆体を、 それらから得られるポリイ ミ ドの線 熱膨脹係数が金属箔に近い隣接するポリィ ミ ド層の線熱 膨脹係数以上である請求項 8に記載の製造法。
    1 2 . 前記ポリイ ミ ド前駆体の乾燥後に含まれる残 存溶媒の量がその後に加熱硬化させて得られるポリィ ミ ドに対して 5〜 3 0 0重量％であり、 かつ前記ポリイ ミ ド前駆体のィ ミ ド化率が◦〜 9 0 %である請求項 6に記 載の製造法。
    1 3 . 請求項 1 に記載のフレキシブルプリ ン ト基板 をエッチングにより金属導体の不要部分を除き、 回路を 形成することを含む回路基板の製造方法。
    1 4 . 請求項 1 3に記載の回路基板に電子部品を実 装してなる電子装置。
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2/232575||1990-09-04||
    JP23257590||1990-09-04||
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    JP3/242489||1991-08-29||US07/849,416| US5300364A|1990-09-04|1991-09-03|Metal-clad laminates and method for producing same|
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